2N5521 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N5521
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0075 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: TO-71
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2N5521 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: PSMN010-25YLC | AOTF5N50FD | CHM13N07PAGP
History: PSMN010-25YLC | AOTF5N50FD | CHM13N07PAGP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt