2N5521. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N5521
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 3.8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0075 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Тип корпуса: TO-71
Аналог (замена) для 2N5521
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2N5521 даташит
Другие MOSFET... 2N5461 , 2N5462 , 2N5515 , 2N5516 , 2N5517 , 2N5518 , 2N5519 , 2N5520 , K3569 , 2N5522 , 2N5523 , 2N5524 , 2N5545 , 2N5546 , 2N5547 , 2N5555 , 2N5564 .
History: 2N5517 | IRFS4229 | IRFS4310
History: 2N5517 | IRFS4229 | IRFS4310
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt

