FRM240R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRM240R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 264 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO204AA

Аналог (замена) для FRM240R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM240R даташит

 8.1. Size:53K  intersil
 frm240.pdf pdf_icon

FRM240R

 8.2. Size:229K  inchange semiconductor
 frm240.pdf pdf_icon

FRM240R

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor FRM240 FEATURES 16A, 200V, RDS(on) = 0.24 Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION It is specially designed and processed to exhibit minimal characteristic changes to total dose and neutron exposures

 9.1. Size:47K  intersil
 frm244.pdf pdf_icon

FRM240R

FRM244D, FRM244R, FRM244H 12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 12A, 250V, RDS(on) = 0.400 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRM230D, FRM230H, FRM230R, FRM234D, FRM234H, FRM234R, FRM240D, FRM240H, IRF640N, FRM244D, FRM244H, FRM244R, FRM430D, FRM430H, FRM430R, FRM440D, FRM440H