2N5909 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2N5909 📄📄
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 4.6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0005 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Тип корпуса: TO-99
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для 2N5909
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2N5909 даташит
Другие IGBT... 2N5639, 2N5902, 2N5903, 2N5904, 2N5905, 2N5906, 2N5907, 2N5908, AO4407, 2N5911, 2N5912, 2N5949, 2N5950, 2N5951, 2N5952, 2N5953, 2N6449
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BLM3404 | BL4N90 | SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205 | BM3139KT | BM3134KE | BM3134E | AO3415E | AO3401F | CS65N25AKR
Popular searches
2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389

