Справочник MOSFET. 2N5911

 

2N5911 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N5911
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-99
 

 Аналог (замена) для 2N5911

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5911 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  vishay
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5911

2N5911/5912Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5911 1 to 5 25 5 1 102N5912 1 to 5 25 5 1 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential AmpsHigh-Frequency PerformanceD High

 ..2. Size:24K  calogic
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5911

Dual N-Channel JFETHigh Frequency AmplifierCORPORATION2N5911 / 2N5912FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mAStorage Te

 9.1. Size:311K  rca
 2n591.pdf pdf_icon

2N5911

 9.2. Size:65K  central
 2n5910 pn5910 2n5771.pdf pdf_icon

2N5911

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N5902 , 2N5903 , 2N5904 , 2N5905 , 2N5906 , 2N5907 , 2N5908 , 2N5909 , 18N50 , 2N5912 , 2N5949 , 2N5950 , 2N5951 , 2N5952 , 2N5953 , 2N6449 , 2N6450 .

History: IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.