2N6804. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N6804
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-3
Аналог (замена) для 2N6804
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2N6804 даташит
2n6804 irf9130.pdf
PD - 90549C IRF9130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6804 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9130 -100V 0.30 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique pr
2n6802u.pdf
PD - 91719B IRFE430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802U HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6802U SURFACE MOUNT (LCC-18) [REF MIL-PRF-19500/557] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE430 500V 1.50 2.5A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface mount technology. Desinged
2n6800 irff330.pdf
PD - 90432C IRFF330 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6800 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6800 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/557 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF330 400V 1.0 3.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing
2n6806 irf9230.pdf
PD - 90548C IRF9230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6806 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6806 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9230 -200V 0.80 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique p
Другие MOSFET... 2N5952 , 2N5953 , 2N6449 , 2N6450 , 2N6451 , 2N6452 , 2N6453 , 2N6454 , IRF2807 , 2N6806 , 2N7091 , 2N7288D , 2N7288R , 2N7288H , BF246B , BF247A , BST100 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor










