BST70A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BST70A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
Тип корпуса: TO-92
BST70A Datasheet (PDF)
bst70a cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBST70AN-channel vertical D-MOStransistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel vertical D-MOS transistor BST70ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max. 80 Vvertical D-MOS transistor in TO-92Gate-source
bst70a.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBST70AN-channel vertical D-MOStransistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel vertical D-MOS transistor BST70ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max. 80 Vvertical D-MOS transistor in TO-92Gate-source
Другие MOSFET... 2N6806 , 2N7091 , 2N7288D , 2N7288R , 2N7288H , BF246B , BF247A , BST100 , IRF1405 , BUZ326 , FJN598J , FJX597JB , FS10KM-10 , FS3KM-10 , PS0151 , IPS0151S , ISL9N303AP3 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918