Справочник MOSFET. MMBFJ175

 

MMBFJ175 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMBFJ175
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.06 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MMBFJ175 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  motorola
 mmbfj175.pdf pdf_icon

MMBFJ175

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBFJ175LT1/DJFET ChopperMMBFJ175LT1PChannel DepletionMotorola Preferred Device2 SOURCE3GATE31 DRAIN12MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 31808, STYLE 10SOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage VDG 25 VReverse GateSource Voltage VGS(r) 25 VTHERMAL CHARACTERISTICSCharact

 ..2. Size:728K  fairchild semi
 j174 j175 j176 j177 mmbfj175 mmbfj176 mmbfj177.pdf pdf_icon

MMBFJ175

J174 MMBFJ175J175 MMBFJ176J176 MMBFJ177J177GSS TO-92DSOT-23GDMark: 6W / 6X / 6YNOTE: Source & Drain are interchangeableP-Channel SwitchThis device is designed for low level analog switching sample and holdcircuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 88.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units

 0.1. Size:56K  motorola
 mmbfj175lt1rev0d.pdf pdf_icon

MMBFJ175

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBFJ175LT1/DJFET ChopperMMBFJ175LT1PChannel DepletionMotorola Preferred Device2 SOURCE3GATE31 DRAIN12MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 31808, STYLE 10SOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage VDG 25 VReverse GateSource Voltage VGS(r) 25 VTHERMAL CHARACTERISTICSCharact

 0.2. Size:105K  onsemi
 mmbfj175lt1.pdf pdf_icon

MMBFJ175

MMBFJ175LT1GJFET ChopperP-Channel - DepletionFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliant2 SOURCEMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitGATEDrain-Gate Voltage VDG 25 VReverse Gate-Source Voltage VGS(r) -25 V1 DRAINTHERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max UnitTotal Device Dissipation FR-5 Board, PD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE60T2K2I | NVATS68301PZ | 2SK3572-Z | AP50T10GH-HF | FK10KM-12 | 2N6784SM | SD8901CY

 

 
Back to Top

 


 
.