FRM9130D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRM9130D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO204AA

Аналог (замена) для FRM9130D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM9130D даташит

 7.1. Size:57K  intersil
 frm9130.pdf pdf_icon

FRM9130D

FRM9130D, FRM9130R, FRM9130H 6A, -100V, 0.550 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 6A, -100V, RDS(on) = 0.550 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

 9.1. Size:47K  intersil
 frm9140.pdf pdf_icon

FRM9130D

FRM9140D, FRM9140R, FRM9140H 11A, -100V, 0.300 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 11A, -100V, RDS(on) = 0.300 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие IGBT... FRM430H, FRM430R, FRM440D, FRM440H, FRM440R, FRM450D, FRM450H, FRM450R, IRF630, FRM9130H, FRM9130R, FRM9140D, FRM9140H, FRM9140R, FRM9230D, FRM9230H, FRM9230R