Справочник MOSFET. SST310

 

SST310 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SST310
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.06 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 35 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SST310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SST310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  vishay
j308 sst308 j309 sst309 j310 sst310 u309 u310.pdfpdf_icon

SST310

J/SST/U308 SeriesVishay SiliconixN-Channel JFETsJ308 SST308 U309J309 SST309 U310J310 SST310PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)J308 -1 to -6.5 -25 8 12J309 -1 to -4 -25 10 12J310 -2 to -6.5 -25 8 24SST308 -1 to -6.5 -25 8 12SST309 -1 to -4 -25 10 12SST310 -2 to -6.5 -25 8 24U309 -1 to -4 -25 10 12U310 -2.5 to -6 -25 10

 ..2. Size:98K  siliconix
j308 j309 j310 sst308 sst310 sst309 u309 u310.pdfpdf_icon

SST310

J/SST/U308 SeriesN-Channel JFETsJ308 SST308 U309J309 SST309 U310J310 SST310Product SummaryPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)J308 1 to 6.5 25 8 12J309 1 to 4 25 10 12J310 2 to 6.5 25 8 24SST308 1 to 6.5 25 8 12SST309 1 to 4 25 10 12SST310 2 to 6.5 25 8 24U309 1 to 4 25 10 12

 9.1. Size:684K  huashuo
hsst3134.pdfpdf_icon

SST310

HSST3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSST3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 280 m power switching and load switch applications. ID 0.9 A The HSST3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

 9.2. Size:707K  huashuo
hsst3139.pdfpdf_icon

SST310

HSST3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSST3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 230 m converter applications. ID -1.0 A The HSST3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... PN5434 , TIS73 , TIS74 , TIS75 , U1898 , J308 , SST308 , SST309 , IRF2807 , U309 , U310 , VN0610L , VN10KE , VN10KM , VN2222L , TN0601L , VN0606L .

History: IRFH8202TRPBF | R6006ANX | STB16NS25T4

 

 
Back to Top

 


 
.