Справочник MOSFET. FRM9130H

 

FRM9130H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRM9130H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO204AA
 

 Аналог (замена) для FRM9130H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM9130H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:57K  intersil
 frm9130.pdf pdf_icon

FRM9130H

FRM9130D, FRM9130R,FRM9130H6A, -100V, 0.550 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 6A, -100V, RDS(on) = 0.550TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

 9.1. Size:47K  intersil
 frm9140.pdf pdf_icon

FRM9130H

FRM9140D, FRM9140R,FRM9140H11A, -100V, 0.300 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 11A, -100V, RDS(on) = 0.300TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие MOSFET... FRM430R , FRM440D , FRM440H , FRM440R , FRM450D , FRM450H , FRM450R , FRM9130D , K3569 , FRM9130R , FRM9140D , FRM9140H , FRM9140R , FRM9230D , FRM9230H , FRM9230R , FRM9240D .

History: FDA16N50

 

 
Back to Top

 


 
.