SMK0270D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SMK0270D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.2 nC
Время нарастания (tr): 10.5 ns
Выходная емкость (Cd): 32 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6.3 Ohm
Тип корпуса: TO-252
SMK0270D Datasheet (PDF)
smk0270d.pdf
SMK0270DAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=700V(Min.) D Low Crss : Crss=6.0pF(Typ.) Low gate charge : Qg=7.2nC(Typ.) D Low RDS(on) : RDS(on)=6.3(Max.) G Ordering Information G Type No. Marking Package Code S S SMK0270D SMK0270 TO-252TO-252 Marking Diagram SMK Co
smk0270f.pdf
SMK0270FAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=700V(Min.) D Low Crss : Crss=6.0pF(Typ.) Low gate charge : Qg=7.2nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=6.3(Max.) G Ordering Information G D Type No. Marking Package Code S S SMK0270F SMK0270 TO-220F-3LTO-220F-3L Marking Diagram Co
smk0260is.pdf
SM 260ISMK02 S Advan ower MOSFEnced N-Ch Po ET SW NG REG OR APPLICATIOWITCHIN GULATO ON Feeatures Drain-Sour own voltage 0V (Min.) rce breakdo e: BVDSS=600 Low gate ccharge: Qg=7nC (Typ.) Low drain- (Typ.) -source On resistance: RDS(on)=3.9 100% avalaanche tested RoHS comp ce pliant devicOr nformatiordering In on G D S Part Num
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: MTN4N60AE3
