FRM9140R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FRM9140R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 236 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO204AA
FRM9140R Datasheet (PDF)
frm9140.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FRM9140D, FRM9140R,FRM9140H11A, -100V, 0.300 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 11A, -100V, RDS(on) = 0.300TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
frm9130.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FRM9130D, FRM9130R,FRM9130H6A, -100V, 0.550 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 6A, -100V, RDS(on) = 0.550TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S
Другие MOSFET... FRM450D , FRM450H , FRM450R , FRM9130D , FRM9130H , FRM9130R , FRM9140D , FRM9140H , 18N50 , FRM9230D , FRM9230H , FRM9230R , FRM9240D , FRM9240H , FRM9240R , FRM9250D , FRM9250H .