SUN0460D - описание и поиск аналогов

 

SUN0460D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUN0460D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SUN0460D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN0460D даташит

 ..1. Size:444K  auk
 sun0460d.pdf pdf_icon

SUN0460D

SUN0460D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SUN0460D SUN0460 TO

 7.1. Size:516K  auk
 sun0460f.pdf pdf_icon

SUN0460D

SUN0460F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0460F SUN0460 TO-

 7.2. Size:457K  auk
 sun0460i2.pdf pdf_icon

SUN0460D

SUN0460I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0460I2 SUN0460 I2-PA

 8.1. Size:516K  auk
 sun0465f.pdf pdf_icon

SUN0460D

SUN0465F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.3 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.7pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0465F SUN0465 TO-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F , STF13NM60N , SUN0460F , SUN0460I2 , SUN0465F , SUN0465I2 , SUN0550D , SUN0550F , SUN0760F , SUN0760I2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.