Справочник MOSFET. SUN0460I2

 

SUN0460I2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN0460I2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN0460I2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  auk
 sun0460i2.pdf pdf_icon

SUN0460I2

SUN0460I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0460I2 SUN0460 I2-PA

 7.1. Size:444K  auk
 sun0460d.pdf pdf_icon

SUN0460I2

SUN0460D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance: Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SUN0460D SUN0460 TO

 7.2. Size:516K  auk
 sun0460f.pdf pdf_icon

SUN0460I2

SUN0460F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0460F SUN0460 TO-

 8.1. Size:516K  auk
 sun0465f.pdf pdf_icon

SUN0460I2

SUN0465F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.3 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.7pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0465F SUN0465 TO-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: LNG7N60D | AFN3432 | DMG5802LFX | SVF13N50STR | FHD4N65E | BRCS150N10SDP | IRFU420APBF

 

 
Back to Top

 


 
.