SUN0760I2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUN0760I2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 33 ns
Выходная емкость (Cd): 93 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: I2-PAK
SUN0760I2 Datasheet (PDF)
sun0760i2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SUN0760I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.05 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0760I2 SUN0760 I2-P
sun0760f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SUN0760F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.05 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0760F SUN0760 TO
sun0765f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SUN0765F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=5.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0765F SUN0765 TO
sun0765i2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SUN0765I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=5.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0765I2 SUN0765 I2-PA
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: STB25NM60N-1