Справочник MOSFET. SUN0760I2

 

SUN0760I2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUN0760I2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK

 Аналог (замена) для SUN0760I2

 

 

SUN0760I2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  auk
 sun0760i2.pdf

SUN0760I2 SUN0760I2

SUN0760I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.05 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0760I2 SUN0760 I2-P

 7.1. Size:519K  auk
 sun0760f.pdf

SUN0760I2 SUN0760I2

SUN0760F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.05 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0760F SUN0760 TO

 8.1. Size:514K  auk
 sun0765f.pdf

SUN0760I2 SUN0760I2

SUN0765F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=5.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0765F SUN0765 TO

 8.2. Size:461K  auk
 sun0765i2.pdf

SUN0760I2 SUN0760I2

SUN0765I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=5.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0765I2 SUN0765 I2-PA

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top