FRS130H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRS130H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 428 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для FRS130H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRS130H даташит

 8.1. Size:48K  intersil
 frs130.pdf pdf_icon

FRS130H

FRS130D, FRS130R, FRS130H 12A, 100V, 0.195 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 12A, 100V, RDS(on) = 0.195 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRM9230R, FRM9240D, FRM9240H, FRM9240R, FRM9250D, FRM9250H, FRM9250R, FRS130D, 13N50, FRS130R, FRS140D, FRS140H, FRS140R, FRS230D, FRS230H, FRS230R, FRS234D