Справочник MOSFET. 3N65K

 

3N65K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N65K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-220F
 

 Аналог (замена) для 3N65K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N65K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  utc
 3n65k.pdf pdf_icon

3N65K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N65K Power MOSFET 3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N65K is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applicati

 0.1. Size:1576K  samwin
 swf13n65k2 swi13n65k2 swd13n65k2 swp13n65k2 swj13n65k2 swb13n65k2 swha13n65k2 swhc13n65k2.pdf pdf_icon

3N65K

SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS : 650V High ruggedness 5 ID : 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) : 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3

Другие MOSFET... 1N65 , 2N65 , 2N65L , 2N65Z , 2N65K , 3N65A , 3N65 , 3N65Z , IRF520 , 4N65 , 4N65Z , 4N65K , 5N65 , 5N65K , 6N65 , 5N60 , 6N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.