Справочник MOSFET. 2N6963

 

2N6963 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N6963
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO210
 

 Аналог (замена) для 2N6963

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6963 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  ixys
 2n6963 2n6965 2n7100 2n7101 2n7102 2n710.pdf pdf_icon

2N6963

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 20

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N6963

 9.2. Size:61K  microsemi
 2n696 2n697.pdf pdf_icon

2N6963

TECHNICAL DATA NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/99 Devices Qualified Level 2N696 2N697 JAN 2N696S 2N697S MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Total Power Dissipation @ T = 250C (1) 0.6 W APT @ T = 250C (2) 2.0 W C0Operating & Storage Juncti

 9.3. Size:270K  siliconix
 2n6962.pdf pdf_icon

2N6963

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N6914B , 2N6915 , 2N6916 , 2N6917 , 2N6960 , 2N6961 , 2N6961A , 2N6962 , AO3407 , 2N6964 , 2N6965 , 2N6966 , 2N6966JANTX , 2N6966JANTXV , 2N6967 , 2N6967JANTX , 2N6967JANTXV .

History: IRFR13N20DPBF

 

 
Back to Top

 


 
.