Справочник MOSFET. 2N6963

 

2N6963 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N6963

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 3200 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO210

Аналог (замена) для 2N6963

 

 

2N6963 Datasheet (PDF)

0.1. 2n6963 2n6965 2n7100 2n7101 2n7102 2n710.pdf Size:1095K _ixys

2N6963
2N6963

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 20

9.1. 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf Size:298K _rca

2N6963

9.2. 2n696 2n697.pdf Size:61K _microsemi

2N6963
2N6963

TECHNICAL DATA NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/99 Devices Qualified Level 2N696 2N697 JAN 2N696S 2N697S MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Total Power Dissipation @ T = 250C (1) 0.6 W APT @ T = 250C (2) 2.0 W C0Operating & Storage Juncti

 9.3. 2n6962.pdf Size:270K _siliconix

2N6963
2N6963

Другие MOSFET... 2N6914B , 2N6915 , 2N6916 , 2N6917 , 2N6960 , 2N6961 , 2N6961A , 2N6962 , 2SK4106 , 2N6964 , 2N6965 , 2N6966 , 2N6966JANTX , 2N6966JANTXV , 2N6967 , 2N6967JANTX , 2N6967JANTXV .

 

 
Back to Top