UT2301Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT2301Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для UT2301Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT2301Z даташит

 ..1. Size:159K  utc
 ut2301z.pdf pdf_icon

UT2301Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2301Z Power MOSFET 2.3A, 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT2301Z is a P-channel enhancement mode power MOSFET with fast switching speed, low on-resistance and favorable stabilization. It can be used in commercial and industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC co

 8.1. Size:183K  utc
 ut2301.pdf pdf_icon

UT2301Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2301 Power MOSFET 2.8A, 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT2301 is P-channel enhancement mode power MOSFET, designed in serried ranks. With fast switching speed, low on-resistance, favorable stabilization. Used in commercial and industrial surface mount applications and suited for low voltage applications su

 8.2. Size:228K  utc
 ut2301g-ae2-r ut2301g-ae3-r.pdf pdf_icon

UT2301Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2301 Power MOSFET Y2.8A, 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT2301 is P-channel enhancement mode power MOSFET, designed in serried ranks. With fast switching speed, low on-resistance, favorable stabilization. Used in commercial and industrial surface mount applications and suited for low voltage applications s

 8.3. Size:794K  cn vbsemi
 ut2301g-ae3-r.pdf pdf_icon

UT2301Z

UT2301G-AE3-R www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLIC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... UTT6N10, UTT75N08, UTT75N75, UTT80N06, UTT80N08, UTT80N75, UDN302, UT2301, 12N60, UT2305, UT2305A, UT2311, UT2321, UT2327, UT3419, UT6302, 90N02