UT4411. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT4411

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0245 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для UT4411

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT4411 даташит

 ..1. Size:262K  utc
 ut4411.pdf pdf_icon

UT4411

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4411 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) = 32m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate char

 9.1. Size:191K  utc
 ut4413.pdf pdf_icon

UT4411

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4413 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=8.5m @ VGS= -10V * Low capacitance * Low gate charge *

 9.2. Size:119K  utc
 ut4414.pdf pdf_icon

UT4411

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4414 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT4414 is an N-channel enhancement mode FET with excellent trench technology to provide customers perfect RDS(ON) and low gate charge. The source leads are separated to allow a Kelvin SOP-8 connection to the source, which may be used to bypas

 9.3. Size:218K  utc
 ut4410.pdf pdf_icon

UT4411

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4410 Power MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET DESCRIPTION As advanced N-channel logic level enhancement MOSFET, the UT4410 is produced using UTC s high cell density, DMOS trench technology. which has been specially tailored to minimize the on-resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. These devices can be

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... UT30P03, UT3310, UT3401, UT3401Z, UT3403, UT3409, UT3443, UT3P01Z, AO4468, UT4413, UT4435, UT6401, UT70P03, UT7401, UT9435, UT9435H, UT9435HZ