FRS9230R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRS9230R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 158 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.32 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для FRS9230R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRS9230R даташит

 7.1. Size:49K  intersil
 frs9230.pdf pdf_icon

FRS9230R

FRS9230D, FRS9230R, FRS9230H 4A, -200V, 1.32 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 4A, -200V, RDS(on) = 1.32 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 9.1. Size:48K  intersil
 frs9240.pdf pdf_icon

FRS9230R

FRS9240D, FRS9240R, FRS9240H 7A, -200V, 0.735 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 7A, -200V, RDS(on) = 0.735 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

Другие IGBT... FRS9130D, FRS9130H, FRS9130R, FRS9140D, FRS9140H, FRS9140R, FRS9230D, FRS9230H, 2N60, FRS9240D, FRS9240H, FRS9240R, FRX130D1, FRX130D2, FRX130D3, FRX130D4, FRX130H1