TF215 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TF215
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: SOT-523
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
TF215 Datasheet (PDF)
tf215.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF215 Preliminary JFET N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TF215 is an N-channel junction field effect transistor, and it can be specially used in electronic condenser microphone. FEATURES * Good voltage characteristics and transient characteristics. ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Pac
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: MEE6240T | WM01P60M | SDF054JAB-D | SI1402DH | 2N4338 | FDN359AN | ITF87008DQT
History: MEE6240T | WM01P60M | SDF054JAB-D | SI1402DH | 2N4338 | FDN359AN | ITF87008DQT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet