RD02MUS2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: RD02MUS2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: SLP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам