RD07MVS2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: RD07MVS2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: SLP
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам