SIF10N60C - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIF10N60C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIF10N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220FP TO-262 TO-263

Аналог (замена) для SIF10N60C

SIF10N60C Datasheet (PDF)

..1. Size:329K sisemi
sif10n60c.pdf

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF10N60CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF10N60C

7.1. Size:291K sisemi
sif10n65c.pdf