SIF10N60C - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIF10N60C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIF10N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220FP TO-262 TO-263

Аналог (замена) для SIF10N60C

SIF10N60C Datasheet (PDF)

..1. Size:329K sisemi
sif10n60c.pdf

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF10N60CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF10N60C

7.1. Size:291K sisemi
sif10n65c.pdf