SIF160N040 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIF160N040
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 787 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для SIF160N040
SIF160N040 Datasheet (PDF)
sif160n040.pdf
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF160N040N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF160N04
Другие MOSFET... SIF10N40C , SIF10N60C , SIF10N65C , SIF10N70C , SIF110N060 , SIF12N60C , SIF12N65C , SIF13N50C , SKD502T , SIF18N65C , SIF1N60C , SIF1N65C , SIF2N60C , SIF2N60D , SIF2N65C , SIF2N65D , SIF2N70D .
History: FC694308 | NTMFS5C468NLT1G | SWF13N65K2
History: FC694308 | NTMFS5C468NLT1G | SWF13N65K2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492


