SIF160N040. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIF160N040

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 787 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для SIF160N040

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIF160N040 даташит

 ..1. Size:281K  sisemi
 sif160n040.pdf pdf_icon

SIF160N040

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF160N040 N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF160N04

Другие IGBT... SIF10N40C, SIF10N60C, SIF10N65C, SIF10N70C, SIF110N060, SIF12N60C, SIF12N65C, SIF13N50C, SKD502T, SIF18N65C, SIF1N60C, SIF1N65C, SIF2N60C, SIF2N60D, SIF2N65C, SIF2N65D, SIF2N70D