SIF4N70C - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

SIF4N70C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIF4N70C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.93 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220FP

Аналог (замена) для SIF4N70C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SIF4N70C даташит

..1. Size:337K sisemi
sif4n70c.pdf pdf_icon

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N70C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N70C N

9.1. Size:379K sisemi
sif4n60c.pdf pdf_icon