SIF4N70C - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIF4N70C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIF4N70C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.93 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220FP

Аналог (замена) для SIF4N70C

SIF4N70C Datasheet (PDF)

..1. Size:337K sisemi
sif4n70c.pdf

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N70CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF4N70CN

9.1. Size:379K sisemi
sif4n60c.pdf