SIF7N60D - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIF7N60D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIF7N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 25.9 nC
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220FP

Аналог (замена) для SIF7N60D

SIF7N60D Datasheet (PDF)

..1. Size:348K sisemi
sif7n60d.pdf

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF7N60DN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF7N60DN

7.1. Size:348K sisemi
sif7n60c.pdf