SIF7N80C - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

SIF7N80C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIF7N80C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220FP

Аналог (замена) для SIF7N80C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SIF7N80C даташит

..1. Size:300K sisemi
sif7n80c.pdf pdf_icon

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF7N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF7N80C N- MOS / N-CHANN

9.1. Size:361K sisemi
sif7n70c.pdf pdf_icon