Справочник MOSFET. BSS84S6R

 

BSS84S6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSS84S6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363R
 

 Аналог (замена) для BSS84S6R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS84S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  cystek
bss84s6r.pdfpdf_icon

BSS84S6R

Spec. No. : C465S6R Issued Date : 2012.12.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 Dual P-Channel MOSFET BVDSS -50VBSS84S6R ID -170mARDSON@VGS=-10V, ID=-100mA 5 (typ)RDSON@VGS=-5V, ID=-100mA 6 (typ)Features RDSON@VGS=-3V, ID=-30mA 8 (typ) Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(-2.5V)

 9.1. Size:116K  motorola
bss84lt1rev0x.pdfpdf_icon

BSS84S6R

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSS84LT1/DBSS84LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELField Effect TransistorsENHANCEMENTMODETMOS MOSFET3 DRAIN3121CASE 31808, Style 21GATESOT23 (TO236AB)2 SOURCEMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Rating

 9.2. Size:139K  motorola
bss84rev0.pdfpdf_icon

BSS84S6R

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSS84/DBSS84Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELField Effect TransistorsENHANCEMENTMODETMOS MOSFET3 DRAIN3121CASE 31808, Style 21GATESOT23 (TO236AB)2 SOURCEMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Rating Symbol

 9.3. Size:120K  motorola
bss84lt1.pdfpdf_icon

BSS84S6R

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSS84LT1/DBSS84LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELField Effect TransistorsENHANCEMENTMODETMOS MOSFET3 DRAIN3121CASE 31808, Style 21GATESOT23 (TO236AB)2 SOURCEMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Rating

Другие MOSFET... SIF8N50C , 2SK3018S3 , 2SK3019C3 , 2SK3541Y3 , BSS123N3 , BSS138C3 , BSS84KS3 , BSS84N3 , AO3401 , MBNP2026G6 , MBNP2074G6 , MEN09N03BJ3 , MEP4435Q8 , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 .

History: BF990 | FCA20N60F | BLF6G20LS-180RN | FDS6680A | AP1001BSQ | STP60N06-16

 

 
Back to Top

 


 
.