Справочник MOSFET. MTA06N03NJ3

 

MTA06N03NJ3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTA06N03NJ3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 563 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTA06N03NJ3

 

 

MTA06N03NJ3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  cystek
 mta06n03nj3.pdf

MTA06N03NJ3 MTA06N03NJ3

Spec. No. : C442J3 Issued Date : 2009.03.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VID 80AMTA06N03NJ3 RDS(ON) 6m Features 100% UIS testing, @VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40V, rated VDS=25V N-CH Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS

 6.1. Size:268K  cystek
 mta06n03j3.pdf

MTA06N03NJ3 MTA06N03NJ3

Spec. No. : C442J3 Issued Date : 2009.03.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VID 80AMTA06N03J3 RDS(ON) 6m Features 100% UIS testing, @VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40V, rated VDS=25V N-CH Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS c

 9.1. Size:46K  diodes
 fmmta05 fmmta06.pdf

MTA06N03NJ3

SOT SI I O A A TA0 DI O T A SISTO S TA06ISS 6 T 8 V I V i I T I D T I T T T T SOT A SO T A I ATI S T T T IT II V I V 8 V II i V I V 8 V i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T T T IT DITI I I II i V 8 V I V I i V V I V I II I V V II I V V V 8 V i I V V T i I V V II i V V

 9.2. Size:92K  diodes
 fmmta06.pdf

MTA06N03NJ3 MTA06N03NJ3

FMMTA06SOT23 NPN SILICON PLANARMEDIUM POWER TRANSISTORSSUMMARYV(BR)CEO > 80VIC(cont) = 500mADESCRIPTION80V medium power NPN transistor in a compact SOT23packageFEATURESSOT23 80V VCEO Compact SOT23 packageSYMBOL HFE 50 @ IC = 100mAAPPLICATIONS Low power motor driving circuitsORDERING INFORMATIONDEVICE REEL TAPE WIDTH QUANTITY PERPINOUTSIZE REEL

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top