Справочник MOSFET. MTA17A02CDV8

 

MTA17A02CDV8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTA17A02CDV8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 670 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для MTA17A02CDV8

 

 

MTA17A02CDV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  cystek
 mta17a02cdv8.pdf

MTA17A02CDV8 MTA17A02CDV8

Spec. No. : C930V8 Issued Date : 2014.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTA17A02CDV8 ID VGS=4.5V 6.6A19.5m VGS=4.5V, ID=6A VGS=4.0V, ID=6A 20.0m RDSON (TYP.)VGS=3.0V, ID=6A 21.7 m Features VGS=2.5V, ID=6A 23.4 m Simple drive requirement Low gate charge

 4.1. Size:350K  cystek
 mta17a02cdn6.pdf

MTA17A02CDV8 MTA17A02CDV8

Spec. No. : C930N6 Issued Date : 2013.11.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA17A02CDN6 BVDSS 20VID VGS=4.5V 6A16.1m VGS=4.5V, ID=6A FeaturesVGS=4.0V, ID=6A 16.7m Simple drive requirement RDSON (TYP.)VGS=3.0V, ID=6A 18.4 m Low on-resistance VGS=2.5V, ID=6A 20.2 m Small package

Другие MOSFET... MBNP2074G6 , MEN09N03BJ3 , MEP4435Q8 , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 , 2N7000 , MTA25N02J3 , MTA340N02N3 , MTA55N02N3 , MTA65N15H8 , MTA65N20H8 , MTA90N03ZN3 , MTB02N03H8 , MTB02N03J3 .

 

 
Back to Top