MTB090N06N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB090N06N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTB090N06N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB090N06N3 даташит

 ..1. Size:613K  cystek
 mtb090n06n3.pdf pdf_icon

MTB090N06N3

Spec. No. C420N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2014.01.24 Revised Date 2018.07.26 Page No. 1/9 60V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60V MTB090N06N3 ID @ TA=25 C, VGS=10V 3.9A RDSON@VGS=10V, ID=3A 67m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=2A 75m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating and halogen-free

 5.1. Size:259K  cystek
 mtb090n06i3.pdf pdf_icon

MTB090N06N3

Spec. No. C420I3 Issued Date 2014.07.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTB090N06I3 ID@VGS=10V 5A 70m VGS=10V, ID=3A RDSON(TYP) 82m VGS=4.5V, ID=2A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead

 9.1. Size:278K  cystek
 mtb09p03j3.pdf pdf_icon

MTB090N06N3

Spec. No. C808J3 Issued Date 2010.01.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTB09P03J3 ID -75A 8m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-25A 11m (typ.) Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-10A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free packag

 9.2. Size:589K  cystek
 mtb09n06j3.pdf pdf_icon

MTB090N06N3

Spec. No. C912J3 Issued Date 2013.07.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.24 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTB09N06J3 ID 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 6.3 m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 9 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTB06N03H8, MTB06N03I3, MTB06N03J3, MTB06N03Q8, MTB06N03V8, MTB070N11J3, MTB08N04J3, MTB090N06I3, 10N60, MTB09N03H8, MTB09N03V8, MTB09N04H8, MTB09N06J3, MTB09N06Q8, MTB09P03J3, MTB110P10E3, MTB110P10F3