FSF250D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FSF250D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для FSF250D
FSF250D Datasheet (PDF)
fsf250.pdf

FSF250D, FSF250R24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 24A, 200V, rDS(ON) = 0.110 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD
fsf254.pdf

FSF254D, FSF254R18A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 18A, 250V, rDS(ON) = 0.170 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD
Другие MOSFET... FRX130R1 , FRX130R2 , FRX130R3 , FRX130R4 , FSF055D , FSF055R , FSF150D , FSF150R , HY1906P , FSF250R , FSF254D , FSF254R , FSF450D , FSF450R , FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D .
History: FQD3N60CTMWS | FQB9P25 | BUZ10L | FRL130R | 2SK2368 | FSF254R | IPW65R095C7
History: FQD3N60CTMWS | FQB9P25 | BUZ10L | FRL130R | 2SK2368 | FSF254R | IPW65R095C7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92