Справочник MOSFET. MTB17N03Q8

 

MTB17N03Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB17N03Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MTB17N03Q8

 

 

MTB17N03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  cystek
 mtb17n03q8.pdf

MTB17N03Q8 MTB17N03Q8

Spec. No. : C729Q8 Issued Date : 2009.09.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB17N03Q8 RDSON(MAX) 15mID 10ADescription The MTB17N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost effectiveness. The

 9.1. Size:350K  cystek
 mtb17a03v8.pdf

MTB17N03Q8 MTB17N03Q8

Spec. No. : C396V8 Issued Date : 2013.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.14 Page No. : 1/9 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB17A03V8ID 7A16m VGS=10V, ID=6A RDSON(TYP) 25m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB17A03V8 consists of two N-channel enhancement-mode MOSFETs in a DFN3 3 package, providing the designer

 9.2. Size:313K  cystek
 mtb17a03q8.pdf

MTB17N03Q8 MTB17N03Q8

Spec. No. : C729Q8 Issued Date : 2009.07.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.01.20 Page No. : 1/ 9 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB17A03Q8 ID 10A8.6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 12.6mVGS=4.5V, ID=6A Description The MTB17A03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra l

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTB1D7N03E3

 

 
Back to Top