Справочник MOSFET. MTB25A04Q8

 

MTB25A04Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB25A04Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB25A04Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  cystek
mtb25a04q8.pdfpdf_icon

MTB25A04Q8

Spec. No. : C884Q8 Issued Date : 2013.02.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/9 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB25A04Q8 ID 12ARDSON@VGS=10V, ID=8A 20m(typ)RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 26m(typ)Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Dual N-ch MOSFET package Pb

 9.1. Size:367K  cystek
mtb25n04j3.pdfpdf_icon

MTB25A04Q8

Spec. No. : C884J3 Issued Date : 2012.12.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.14 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB25N04J3 ID 29ARDS(ON)@VGS=10V, ID=12A 20m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 27m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalen

 9.2. Size:436K  cystek
mtb25c04q8.pdfpdf_icon

MTB25A04Q8

Spec. No. : C955Q8 Issued Date : 2015.03.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTB25C04Q8 BVDSS 40V -40VID @ TA=25C, VGS=10V(-10V) 5.7A -4.9AID @ TA=70C, VGS=10V(-10V) 4.8A -4.1AID @ TC=25C, VGS=10V(-10V) 10A -8.6AID @ TC=100C, VGS=10V(-10V) 7.1A -6.1ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 21.

 9.3. Size:373K  cystek
mtb25p04v8.pdfpdf_icon

MTB25A04Q8

Spec. No. : C878V8 Issued Date : 2014.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -40VMTB25P04V8 ID -27ARDSON@VGS=-10V, ID=-10A 13 m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-6A 19 m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and halogen-free packag

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRF5NJ540 | HYG060N08NS1U | IRF1404ZS | RJL6013DPP | IRFD220 | IXZ308N120 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.