MTB25A04Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB25A04Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTB25A04Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB25A04Q8 даташит

 ..1. Size:307K  cystek
 mtb25a04q8.pdf pdf_icon

MTB25A04Q8

Spec. No. C884Q8 Issued Date 2013.02.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.30 Page No. 1/9 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB25A04Q8 ID 12A RDSON@VGS=10V, ID=8A 20m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 26m (typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Dual N-ch MOSFET package Pb

 9.1. Size:367K  cystek
 mtb25n04j3.pdf pdf_icon

MTB25A04Q8

Spec. No. C884J3 Issued Date 2012.12.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.14 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB25N04J3 ID 29A RDS(ON)@VGS=10V, ID=12A 20m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 27m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalen

 9.2. Size:436K  cystek
 mtb25c04q8.pdf pdf_icon

MTB25A04Q8

Spec. No. C955Q8 Issued Date 2015.03.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTB25C04Q8 BVDSS 40V -40V ID @ TA=25 C, VGS=10V(-10V) 5.7A -4.9A ID @ TA=70 C, VGS=10V(-10V) 4.8A -4.1A ID @ TC=25 C, VGS=10V(-10V) 10A -8.6A ID @ TC=100 C, VGS=10V(-10V) 7.1A -6.1A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 21.

 9.3. Size:373K  cystek
 mtb25p04v8.pdf pdf_icon

MTB25A04Q8

Spec. No. C878V8 Issued Date 2014.03.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -40V MTB25P04V8 ID -27A RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 13 m (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-6A 19 m (typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and halogen-free packag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTB20C03J4, MTB20N03AQ8, MTB20N03Q8, MTB20N06J3, MTB20P03L3, MTB22N04J3, MTB23C04J4, MTB24B03Q8, IRFP450, MTB25N04J3, MTB25P04V8, MTB25P06FP, MTB30N06J3, MTB30N06Q8, MTB30N06V8, MTB30P06J3, MTB35N04J3