FSF254R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSF254R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FSF254R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSF254R даташит

 8.1. Size:54K  intersil
 fsf254.pdf pdf_icon

FSF254R

FSF254D, FSF254R 18A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 18A, 250V, rDS(ON) = 0.170 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

 9.1. Size:53K  intersil
 fsf250.pdf pdf_icon

FSF254R

FSF250D, FSF250R 24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 24A, 200V, rDS(ON) = 0.110 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

Другие IGBT... FRX130R4, FSF055D, FSF055R, FSF150D, FSF150R, FSF250D, FSF250R, FSF254D, IRFP064N, FSF450D, FSF450R, FSF9150D, FSF9150R, FSF9250D, FSF9250R, FSJ055D, FSJ055R