MTB55N03J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB55N03J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTB55N03J3
MTB55N03J3 Datasheet (PDF)
mtb55n03j3.pdf
Spec. No. : C723J3 Issued Date : 2012.05.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB55N03J3 ID 24ARDS(ON)@VGS=10V, ID=12A 34m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=6A 58m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead
mtb55n03n3.pdf
Spec. No. : C723N3 Issued Date : 2009.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.08 Page No. : 1/8 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB55N03N3 ID 4.8ARDSON(TYP)@VGS=10V, ID=3.5A 35m RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=2A 58m Features Lower gate charge Pb-free lead plating and Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB5
mtb55n06z.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB55N06Z/DAdvance InformationMTB55N06ZTMOS E-FET.High Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 55 AMPERES60 VOLTSThis advanced high voltage TMOS EFET is designed toRDS(on) = 18 mwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.
mtb55n06zrev1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB55N06Z/DAdvance InformationMTB55N06ZTMOS E-FET.High Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 55 AMPERES60 VOLTSThis advanced high voltage TMOS EFET is designed toRDS(on) = 18 mwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.
mtb55n06q8.pdf
Spec. No. : C746Q8 Issued Date : 2009.10.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.20 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60VMTB55N06Q8ID 8ARDSON@VGS=10V, ID=6A 35m(typ)RDSON@VGS=5V, ID=5A 38m(typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F