MTB55N03J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB55N03J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTB55N03J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB55N03J3 даташит

 ..1. Size:279K  cystek
 mtb55n03j3.pdf pdf_icon

MTB55N03J3

Spec. No. C723J3 Issued Date 2012.05.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MTB55N03J3 ID 24A RDS(ON)@VGS=10V, ID=12A 34m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=6A 58m (typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead

 6.1. Size:308K  cystek
 mtb55n03n3.pdf pdf_icon

MTB55N03J3

Spec. No. C723N3 Issued Date 2009.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.08 Page No. 1/8 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTB55N03N3 ID 4.8A RDSON(TYP)@VGS=10V, ID=3.5A 35m RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=2A 58m Features Lower gate charge Pb-free lead plating and Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB5

 7.1. Size:151K  motorola
 mtb55n06z.pdf pdf_icon

MTB55N03J3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB55N06Z/D Advance Information MTB55N06Z TMOS E-FET. High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 55 AMPERES 60 VOLTS This advanced high voltage TMOS E FET is designed to RDS(on) = 18 m withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

 7.2. Size:146K  motorola
 mtb55n06zrev1.pdf pdf_icon

MTB55N03J3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB55N06Z/D Advance Information MTB55N06Z TMOS E-FET. High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 55 AMPERES 60 VOLTS This advanced high voltage TMOS E FET is designed to RDS(on) = 18 m withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTB40P06J3, MTB40P06Q8, MTB40P06V8, MTB44P04J3, MTB45A06Q8, MTB45P03Q8, MTB4D0N03ATH8, MTB4D0N03ATV8, 8N60, MTB55N03N3, MTB55N06Q8, MTB55N10J3, MTB55N10Q8, MTB600N03N3, MTB60A06Q8, MTB60B06Q8, MTB60N06J3