MTB60P06E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTB60P06E3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
MTB60P06E3 Datasheet (PDF)
mtb60p06e3.pdf

Spec. No. : C796E3 Issued Date : 2011.12.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.12.28 Page No. : 1/7 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTB60P06E3 ID -20A57mFeatures RDSON(TYP)@VGS=-10V,ID=-15A Low Gate Charge 67mRDSON(TYP)@VGS=-4.5V,ID=-7A Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circui
mtb60p06h8.pdf

Spec. No. : C796H8 Issued Date : 2013.08.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.02 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTB60P06H8ID -5A56m VGS=-10V, ID=-5A RDSON(TYP) 65m VGS=-4.5V, ID=-4.5A Description The MTB60P06H8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination
mtb60p15h8.pdf

Spec. No. : C960H8 Issued Date : 2014.10.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.11.14 Page No. : 1/10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTB60P15H8ID@VGS=-10V, TC=25C -23A ID@VGS=-10V, TA=25C -5.9A VGS=-10V, ID=-5.2A 56m Features RDSON(TYP) VGS=-4.5V, ID=-5A 60m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi
mtb60n05hdl.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB60N05HDL/DProduct PreviewMTB60N05HDLHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FET60 AMPERESNChannel EnhancementMode Silicon Gate50 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.014 OHMthan any existing surface mou
Другие MOSFET... MTB55N06Q8 , MTB55N10J3 , MTB55N10Q8 , MTB600N03N3 , MTB60A06Q8 , MTB60B06Q8 , MTB60N06J3 , MTB60N06L3 , IRF1405 , MTB60P06H8 , MTB6D0N03AH8 , MTB6D0N03ATH8 , MTB6D0N03ATV8 , MTB80N08J3 , MTB90P06J3 , MTB90P06Q8 , MTBA0N10Q8 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet