FSF450R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSF450R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FSF450R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSF450R даташит

 8.1. Size:53K  intersil
 fsf450.pdf pdf_icon

FSF450R

FSF450D, FSF450R 9A, 500V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 9A, 500V, rDS(ON) = 0.600 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

Другие IGBT... FSF055R, FSF150D, FSF150R, FSF250D, FSF250R, FSF254D, FSF254R, FSF450D, IRF730, FSF9150D, FSF9150R, FSF9250D, FSF9250R, FSJ055D, FSJ055R, FSJ160D, FSJ160R