MTC3585G6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTC3585G6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5(3) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8(17) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50(45) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027(0.078) Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для MTC3585G6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC3585G6 даташит

 ..1. Size:408K  cystek
 mtc3585g6.pdf pdf_icon

MTC3585G6

Spec. No. C416G6 Issued Date 2007.07.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.13 Page No. 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC3585G6 BVDSS 20V -20V ID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m (VGS=4.5V) 78m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m (VGS=2.5V) 115m (VGS=-2.5V) 82m (VGS=1.5V) 280m (VGS=-1.5V) Features Simple drive requirement

 7.1. Size:403K  cystek
 mtc3585n6.pdf pdf_icon

MTC3585G6

Spec. No. C416G6 Issued Date 2007.07.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.06 Page No. 1/12 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CH MTC3585N6 BVDSS 20V -20V ID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m (VGS=4.5V) 78m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m (VGS=2.5V) 115m (VGS=-2.5V) 82m (VGS=1.5V) 280m (VGS=-1.5V) Description The MTC3585N6 consist

 8.1. Size:431K  cystek
 mtc3586dfa6.pdf pdf_icon

MTC3585G6

Spec. No. C835DFA6 Issued Date 2013.06.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.30 Page No. 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC3586DFA6 BVDSS 20V -20V ID 5A(VGS=4.5V) -3.3A(VGS=-4.5 V) 27m (VGS=4.5V) 78m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m (VGS=2.5V) 115m (VGS=-2.5V) Description 82m (VGS=1.5V) 280m (VGS=-1.5V) The MTC3586DFA6 consis

 8.2. Size:498K  cystek
 mtc3588n6.pdf pdf_icon

MTC3585G6

Spec. No. C102N6 Issued Date 2015.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2017.03.30 Page No. 1/12 N- And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTC3588N6 BVDSS 14V -14V ID @ TA=25 C 5.4A(VGS=4.5V) -3.6A(VGS=-4.5 V) 17.6m (VGS=4.5V) 45.1m (VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 24.7m (VGS=2.5V) 65.6m (VGS=-2.5V) Features Simple drive requirement

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTBB0P10L3, MTBB5B10Q8, MTBB5N10L3, MTBC7N10N3, MTC1016S6R, MTC2402Q8, MTC2590V8, MTC2804Q8, IRF1404, MTC3585N6, MTC3586DFA6, MTC380Q8, MTC4501Q8, MTC4503AQ8, MTC4503Q8, MTC4503Q8G, MTC4505Q8