Справочник MOSFET. MTC3585N6

 

MTC3585N6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTC3585N6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5(3) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8(17) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50(45) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027(0.078) Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для MTC3585N6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC3585N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  cystek
 mtc3585n6.pdf pdf_icon

MTC3585N6

Spec. No. : C416G6 Issued Date : 2007.07.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.09.06 Page No. : 1/12 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC3585N6 BVDSS 20V -20VID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)Description The MTC3585N6 consist

 7.1. Size:408K  cystek
 mtc3585g6.pdf pdf_icon

MTC3585N6

Spec. No. : C416G6 Issued Date : 2007.07.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.11.13 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3585G6 BVDSS 20V -20VID 4.5A(VGS=4.5V) -3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)Features Simple drive requirement

 8.1. Size:431K  cystek
 mtc3586dfa6.pdf pdf_icon

MTC3585N6

Spec. No. : C835DFA6 Issued Date : 2013.06.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/13 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC3586DFA6 BVDSS 20V -20VID 5A(VGS=4.5V) -3.3A(VGS=-4.5 V) 27m(VGS=4.5V) 78m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 37m(VGS=2.5V) 115m(VGS=-2.5V)Description 82m(VGS=1.5V) 280m(VGS=-1.5V)The MTC3586DFA6 consis

 8.2. Size:498K  cystek
 mtc3588n6.pdf pdf_icon

MTC3585N6

Spec. No. : C102N6 Issued Date : 2015.08.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2017.03.30 Page No. : 1/12 N- And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTC3588N6 BVDSS 14V -14VID @ TA=25 C 5.4A(VGS=4.5V) -3.6A(VGS=-4.5 V) 17.6m(VGS=4.5V) 45.1m(VGS=-4.5V) RDSON(TYP.) 24.7m(VGS=2.5V) 65.6m(VGS=-2.5V) Features Simple drive requirement

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTBB5B10Q8 , MTBB5N10L3 , MTBC7N10N3 , MTC1016S6R , MTC2402Q8 , MTC2590V8 , MTC2804Q8 , MTC3585G6 , IRFP260N , MTC3586DFA6 , MTC380Q8 , MTC4501Q8 , MTC4503AQ8 , MTC4503Q8 , MTC4503Q8G , MTC4505Q8 , MTC4506J4 .

History: SGM3055 | SM103 | WMK15N60C4 | WSP06N10 | SGM2310A | MTB060N06I3 | MTC3586DFA6

 

 
Back to Top

 


 
.