MTDN8233CDV8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTDN8233CDV8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для MTDN8233CDV8
MTDN8233CDV8 Datasheet (PDF)
mtdn8233cdv8.pdf

Spec. No. : C911V8 Issued Date : 2013.12.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTDN8233CDV8 ID VGS=4.5V 10A8.1m VGS=4.5V, ID=5.5A VGS=4.0V, ID=5.5A 8.4m VGS=3.7V, ID=5.5A RDSON (TYP.) 8.6 m Features VGS=3.1V, ID=5.5A 9.4 m Simple drive requirement VGS=2.5V, ID=5.5A 10
mtdn8233x6.pdf

Spec. No. : C911X6 Issued Date : 2013.07.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.28 Page No. : 1/9 Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTDN8233X6 ID VGS=4.5V 11A6.0m VGS=4.5V, ID=5.5A VGS=4.0V, ID=5.5A 6.0m VGS=3.7V, ID=5.5A RDSON (TYP.) 6.2 m VGS=3.1V, ID=5.5A 6.7 m VGS=2.5V, ID=5.5A 7.8 m Description The MTDN8233X6 consi
mtdn8810at8.pdf

Spec. No. : C779T8 Issued Date : 2014.04.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTDN8810AT8 ID 5ARDSON@VGS=4.5V, ID=5A 17.5m(typ)RDSON@VGS=2.5V,ID=2.6A 25m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=1A 41m(typ) Features 1.8V drive available Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead pl
mtdn8810t8.pdf

Spec. No. : C582T8 Issued Date : 2013.07.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.03 Page No. : 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTDN8810T8 ID 5ARDSON@VGS=4.5V, ID=5A 17.5m(typ)RDSON@VGS=2.5V,ID=2.6A 25m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=1A 41m(typ) Description The MTDN8810T8 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer w
Другие MOSFET... MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 , MTDN6303S6R , MTDN7002ZHS6R , IRLZ44N , MTDN8233X6 , MTDN8810AT8 , MTDN8810T8 , MTDN9922Q8 , MTDN9926Q8 , MTDN9946Q8 , MTDN9971Q8 , MTDN9973Q8 .
History: TPC8104-H | IPG16N10S4L-61A | PJM138NSA | IXFB60N80P | IPD80R900P7 | MEE3710T | IPD90N10S4-06
History: TPC8104-H | IPG16N10S4L-61A | PJM138NSA | IXFB60N80P | IPD80R900P7 | MEE3710T | IPD90N10S4-06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011