MTDN8233CDV8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDN8233CDV8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для MTDN8233CDV8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN8233CDV8 даташит

 ..1. Size:358K  cystek
 mtdn8233cdv8.pdf pdf_icon

MTDN8233CDV8

Spec. No. C911V8 Issued Date 2013.12.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTDN8233CDV8 ID VGS=4.5V 10A 8.1m VGS=4.5V, ID=5.5A VGS=4.0V, ID=5.5A 8.4m VGS=3.7V, ID=5.5A RDSON (TYP.) 8.6 m Features VGS=3.1V, ID=5.5A 9.4 m Simple drive requirement VGS=2.5V, ID=5.5A 10

 6.1. Size:380K  cystek
 mtdn8233x6.pdf pdf_icon

MTDN8233CDV8

Spec. No. C911X6 Issued Date 2013.07.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.28 Page No. 1/9 Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTDN8233X6 ID VGS=4.5V 11A 6.0m VGS=4.5V, ID=5.5A VGS=4.0V, ID=5.5A 6.0m VGS=3.7V, ID=5.5A RDSON (TYP.) 6.2 m VGS=3.1V, ID=5.5A 6.7 m VGS=2.5V, ID=5.5A 7.8 m Description The MTDN8233X6 consi

 9.1. Size:468K  cystek
 mtdn8810at8.pdf pdf_icon

MTDN8233CDV8

Spec. No. C779T8 Issued Date 2014.04.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTDN8810AT8 ID 5A RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 17.5m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=2.6A 25m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=1A 41m (typ) Features 1.8V drive available Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead pl

 9.2. Size:416K  cystek
 mtdn8810t8.pdf pdf_icon

MTDN8233CDV8

Spec. No. C582T8 Issued Date 2013.07.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.03 Page No. 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTDN8810T8 ID 5A RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 17.5m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=2.6A 25m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=1A 41m (typ) Description The MTDN8810T8 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer w

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8, MTDN5820Z6, MTDN6303S6R, MTDN7002ZHS6R, AON6380, MTDN8233X6, MTDN8810AT8, MTDN8810T8, MTDN9922Q8, MTDN9926Q8, MTDN9946Q8, MTDN9971Q8, MTDN9973Q8