Справочник MOSFET. MTE130N20FP

 

MTE130N20FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE130N20FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
   Время нарастания (tr): 37 ns
   Выходная емкость (Cd): 83 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP

 Аналог (замена) для MTE130N20FP

 

 

MTE130N20FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  cystek
 mte130n20fp.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C966FP Issued Date : 2014.05.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.15 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETMTE130N20FP BVDSS 200VID @ VGS=10V 17ARDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 150 m(typ) Features Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side insulating v

 5.1. Size:394K  cystek
 mte130n20kj3.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C952J3 Issued Date : 2014.02.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KJ3 BVDSS 200VID 18A142m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and

 5.2. Size:296K  cystek
 mte130n20kfp.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C952FP Issued Date : 2013.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETMTE130N20KFP BVDSS 200VID @ VGS=10V 17ARDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 134 m(typ) Features ESD protected Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side in

 5.3. Size:369K  cystek
 mte130n20j3.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C966J3 Issued Date : 2014.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE130N20J3 ID@VGS=10V, TC=25C 18A ID@VGS=10V, TA=25C 1.9A 156m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead pla

 5.4. Size:337K  cystek
 mte130n20kf3.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C952F3 Issued Date : 2014.06.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KF3 BVDSS 200VID 18A143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compli

 5.5. Size:355K  cystek
 mte130n20ke3.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C952E3 Issued Date : 2013.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KE3 BVDSS 200VID 18A143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic RoHS compliant package

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top