Справочник MOSFET. MTE130N20FP

 

MTE130N20FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE130N20FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP

 Аналог (замена) для MTE130N20FP

 

 

MTE130N20FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  cystek
 mte130n20fp.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C966FP Issued Date : 2014.05.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.15 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETMTE130N20FP BVDSS 200VID @ VGS=10V 17ARDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 150 m(typ) Features Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side insulating v

 5.1. Size:394K  cystek
 mte130n20kj3.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C952J3 Issued Date : 2014.02.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KJ3 BVDSS 200VID 18A142m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and

 5.2. Size:296K  cystek
 mte130n20kfp.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C952FP Issued Date : 2013.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETMTE130N20KFP BVDSS 200VID @ VGS=10V 17ARDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 134 m(typ) Features ESD protected Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side in

 5.3. Size:369K  cystek
 mte130n20j3.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C966J3 Issued Date : 2014.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE130N20J3 ID@VGS=10V, TC=25C 18A ID@VGS=10V, TA=25C 1.9A 156m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead pla

 5.4. Size:337K  cystek
 mte130n20kf3.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C952F3 Issued Date : 2014.06.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KF3 BVDSS 200VID 18A143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compli

 5.5. Size:355K  cystek
 mte130n20ke3.pdf

MTE130N20FP MTE130N20FP

Spec. No. : C952E3 Issued Date : 2013.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KE3 BVDSS 200VID 18A143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic RoHS compliant package

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top