Справочник MOSFET. MTEF1P15L3

 

MTEF1P15L3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTEF1P15L3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для MTEF1P15L3

 

 

MTEF1P15L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  cystek
 mtef1p15l3.pdf

MTEF1P15L3 MTEF1P15L3

Spec. No. : C896L3 Issued Date : 2013.04.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTEF1P15L3 BVDSS -150VID -1.4A0.64 (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-1.4A 0.7 (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equi

 6.1. Size:690K  1
 mtef1p15av8.pdf

MTEF1P15L3 MTEF1P15L3

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.2. Size:690K  cystek
 mtef1p15av8.pdf

MTEF1P15L3 MTEF1P15L3

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.3. Size:374K  cystek
 mtef1p15v8.pdf

MTEF1P15L3 MTEF1P15L3

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2014.05.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTEF1P15V8 ID -4A @ VGS=-10V, TC=25C 0.64 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.7@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating a

 6.4. Size:633K  cystek
 mtef1p15q8.pdf

MTEF1P15L3 MTEF1P15L3

Spec. No. : C896Q8 Issued Date : 2013.07.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.10.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15Q8 ID@TA=25 C, VGS=-10V -1.6A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.6A 650m(typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-1A 700m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.5. Size:352K  cystek
 mtef1p15n6.pdf

MTEF1P15L3 MTEF1P15L3

Spec. No. : C896N6 Issued Date : 2013.02.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.11 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTEF1P15N6 Description The MTEF1P15N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 p

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top