Справочник MOSFET. MTEF1P15L3

 

MTEF1P15L3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEF1P15L3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для MTEF1P15L3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEF1P15L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  cystek
 mtef1p15l3.pdf pdf_icon

MTEF1P15L3

Spec. No. : C896L3 Issued Date : 2013.04.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTEF1P15L3 BVDSS -150VID -1.4A0.64 (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-1.4A 0.7 (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equi

 6.1. Size:690K  1
 mtef1p15av8.pdf pdf_icon

MTEF1P15L3

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.2. Size:690K  cystek
 mtef1p15av8.pdf pdf_icon

MTEF1P15L3

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.3. Size:374K  cystek
 mtef1p15v8.pdf pdf_icon

MTEF1P15L3

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2014.05.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTEF1P15V8 ID -4A @ VGS=-10V, TC=25C 0.64 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.7@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTEA6C15J4 , MTEA6C15Q8 , MTEB4N15J3 , MTEB6N20J3 , MTED6N25J3 , MTED6N25KJ3 , MTEE2N20FP , MTEE2N20J3 , BS170 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 , MTEH0N25J3 , MTEJ0P20J3 , MTEJ0P20L3 , MTF50P02J3 , MTN003N02Y3 .

 

 
Back to Top

 


 
.