MTN1012ZC3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN1012ZC3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOT-523
Аналог (замена) для MTN1012ZC3
MTN1012ZC3 Datasheet (PDF)
mtn1012zc3.pdf

Spec. No. : C588C3 Issued Date : 2011.01.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 ESD protected N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN1012ZC3 ID 0.7A300m@4.5V/0.6A 340m@2.5V/0.5A RDSON(TYP)Description 420m@1.8V/0.4A Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device
mtn1012c3.pdf

Spec. No. : C814C3 Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.06 Page No. : 1/9 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN1012C3 ID 560mARDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 320m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=400mA 510m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=350mA 980m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead p
mtn10n65ea.pdf

Spec. No. : C725EA Issued Date : 2010.02.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.12.29 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 700V @Tj=150 RDS(ON) : 0.85 MTN10N65EA ID : 10A Description The MTN10N65EA is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, l
mtn10n40e3.pdf

Spec. No. : C586E3 Issued Date : 2011.04.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 400V RDS(ON) : 0.47(typ.) MTN10N40E3 ID : 10A Description The MTN10N40E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance
Другие MOSFET... MTEJ0P20L3 , MTF50P02J3 , MTN003N02Y3 , MTN003N03S3 , MTN0401LA3 , MTN0410L3 , MTN04N03F3 , MTN1012C3 , IRF640N , MTN10N40E3 , MTN10N60E3 , MTN10N60FP , MTN10N65EA , MTN10N65FP , MTN10N65FPG , MTN10N70EA , MTN12N60E3 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096