MTN12N60FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN12N60FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTN12N60FP Datasheet (PDF)
mtn12n60fp.pdf

Spec. No. : C743FP Issued Date : 2011.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.15 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS :600V RDS(ON) : 0.6 typ. MTN12N60FP ID : 12A Description The MTN12N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
mtn12n60e3.pdf

Spec. No. : C743E3 Issued Date : 2009.10.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS :660V @Tj=150C RDS(ON) : 0.65 MTN12N60E3 ID : 12A Description The MTN12N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resist
mtn12n60bfp.pdf

Spec. No. : C164FP Issued Date : 2015.03.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS :600V RDS(ON) : 0.46 typ. MTN12N60BFP ID : 12A Description The MTN12N60BFP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc
mtn12n65fp.pdf

Spec. No. : C802FP Issued Date : 2010.01.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.01.13 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 0.6 (typ.) MTN12N65FP ID : 12A Description The MTN12N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: TSM3446CX6 | NTMS5835NLR2G | SFB053N100C3 | FQU13N10 | SWMI4N65D | NTMFS4837NHT1G | BMS3003
History: TSM3446CX6 | NTMS5835NLR2G | SFB053N100C3 | FQU13N10 | SWMI4N65D | NTMFS4837NHT1G | BMS3003



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor