Справочник MOSFET. MTN2306N3

 

MTN2306N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTN2306N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для MTN2306N3

 

 

MTN2306N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  cystek
 mtn2306n3.pdf

MTN2306N3 MTN2306N3

Spec. No. : C723N3 Issued Date : 2012.04.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MTN2306N3 BVDSS 30VID 4.8A RDSON(TYP)@VGS=10V, ID=3.5A 35m RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=2A 58m Features Lower gate charge Pb-free lead plating and Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTN2306N3 SOT

 7.1. Size:310K  cystek
 mtn2306an3.pdf

MTN2306N3 MTN2306N3

Spec. No. : C429N3 Issued Date : 2008.08.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.03.29 Page No. : 1/ 8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN2306AN3 ID 5.5A25m VGS=10V, ID=5A 27m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=5A 30m VGS=2.5V, ID=2.6A Features Low on-resistance Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities

 7.2. Size:283K  cystek
 mtn2306zn3.pdf

MTN2306N3 MTN2306N3

Spec. No. : C582N3 Issued Date : 2011.08.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 7 20V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN2306ZN3 ID 6A28m VGS=10V, ID=5A 30m VGS=4.5V, ID=5A Features RDSON(MAX) V =20V 40m DSVGS=2.5V, ID=2.6A@V =4.5V, I =5A R =30m GS DDS(ON)60m VGS=1.8V, ID=1A @V =2.5V, I =2.6

 7.3. Size:299K  cystek
 mtn2306am3.pdf

MTN2306N3 MTN2306N3

Spec. No. : C414M3 Issued Date : 2012.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.07.01 Page No. : 1/8 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 30VID 6.8ARDSON@VGS=10V, ID=5.8A 25m(typ) MTN2306AM3 RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 27m(typ) Features Low on-resistance High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Pb-free lead plating and h

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PHD78NQ03L

 

 
Back to Top