Справочник MOSFET. MTN2572F3

 

MTN2572F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTN2572F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 195 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для MTN2572F3

 

 

MTN2572F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  cystek
mtn2572f3.pdf

MTN2572F3 MTN2572F3

Spec. No. : C434F3 Issued Date : 2010.09.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VID 48AMTN2572F3 RDS(ON) 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline MTN2572F3 TO-263

 6.1. Size:299K  cystek
mtn2572fp.pdf

MTN2572F3 MTN2572F3

Spec. No. : C434FP Issued Date : 2013.10.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTN2572FP ID 48ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 34 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 38m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating

 7.1. Size:304K  cystek
mtn2572j3.pdf

MTN2572F3 MTN2572F3

Spec. No. : C434J3 Issued Date : 2008.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTN2572J3 BVDSS 150VID 36ARDS(ON) 50m(max.) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS co

 7.2. Size:405K  cystek
mtn2572h8.pdf

MTN2572F3 MTN2572F3

Spec. No. : C434H8 Issued Date : 2013.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.12 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN2572H8ID 32A36m VGS=10V, ID=20A 36m RDSON(TYP) VGS=10V, ID=12A 38m VGS=6V, ID=6A Description The MTN2572H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinat

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top