Справочник MOSFET. MTN2572J3

 

MTN2572J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN2572J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTN2572J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2572J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  cystek
mtn2572j3.pdfpdf_icon

MTN2572J3

Spec. No. : C434J3 Issued Date : 2008.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTN2572J3 BVDSS 150VID 36ARDS(ON) 50m(max.) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS co

 7.1. Size:299K  cystek
mtn2572fp.pdfpdf_icon

MTN2572J3

Spec. No. : C434FP Issued Date : 2013.10.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTN2572FP ID 48ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 34 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 38m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating

 7.2. Size:352K  cystek
mtn2572f3.pdfpdf_icon

MTN2572J3

Spec. No. : C434F3 Issued Date : 2010.09.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VID 48AMTN2572F3 RDS(ON) 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline MTN2572F3 TO-263

 7.3. Size:405K  cystek
mtn2572h8.pdfpdf_icon

MTN2572J3

Spec. No. : C434H8 Issued Date : 2013.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.12 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN2572H8ID 32A36m VGS=10V, ID=20A 36m RDSON(TYP) VGS=10V, ID=12A 38m VGS=6V, ID=6A Description The MTN2572H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinat

Другие MOSFET... MTN2510F3 , MTN2510H8 , MTN2510J3 , MTN2510LE3 , MTN2510LJ3 , MTN2572F3 , MTN2572FP , MTN2572H8 , 7N60 , MTN2604G6 , MTN2N60FP , MTN2N60I3 , MTN2N60J3 , MTN2N65AI3 , MTN2N65FP , MTN2N65I3 , MTN2N65J3 .

History: AOLF66610 | TPCS8303 | P0903BT | AOH3106 | LN100 | S70N08ZS | PHB78NQ03LT

 

 
Back to Top

 


 
.